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描述了沉积设备和沉积系统。所述沉积设备包括：真空腔室，所述真空腔室定大小为适于容纳GEN 2代或更高世代的矩形大面积基板；和沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源具有在第...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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