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本发明公开了一种存储单元结构。所述存储单元结构包含一硅基板，一晶体管，和一电容。所述硅基板具有一硅表面。所述晶体管耦接所述硅表面，其中所述晶体管包含一栅极结构，一第一导通区，以及一第二导通区。所述电容具有一存储电极，其中所述电容位在所述晶体...
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