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本技术提供一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：形成初始源极结构；在所述初始源极结构上形成层叠结构，所述层叠结构包括第一材料层和第二材料层；形成贯通所述层叠结构的初始存储层；形成穿过所述层叠结构的沟槽；通过对所述第二材料层的被所述沟槽暴露...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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