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公开了一种半导体器件，包括：衬底，具有在一个方向上间隔开的PMOSFET区和NMOSFET区；器件隔离层，设置在衬底上，所述器件隔离层限定分别在PMOSFET区和NMOSFET区上的第一有源图案和第二有源图案；栅电极，跨越第一有源图案和第二...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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