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本公开涉及一种用于在绝缘体上硅(SOI)结构中产生底切(UCUT)的方法，具体涉及一种用于300mm SOI平台的方法。为此，本公开提供了一种用于在SOI结构的绝缘体层下的硅基材中制造一个或多个腔室的方法。该方法包括：对硅基材进行第一干法蚀...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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