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本公开的方面涉及自旋力矩振荡器(STO)和方法，例如在磁介质驱动器的写头中使用的自旋力矩振荡器。所述STO包含晶种层、自旋极化层(SPL)、间隔物层、场产生层(FGL)、罩盖层。插入层安置在所述STO内。所述插入层增加负Hk。所述插入层可位...
该专利属于西部数据技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过西部数据技术公司授权不得商用。

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