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本公开的实施例涉及一种集成电路。该集成电路包括：包含在半导体衬底中的第一半导体阱和包含在第一半导体阱中的第二半导体阱，以及电容元件，该电容元件包括第一电极和第二电极，其中第一电极包括至少一个竖直导电结构，填充竖直延伸到第一半导体阱中的沟槽。...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

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