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本发明涉及一种半导体陶瓷材料，低压压敏电阻材料及工艺，该材料主要是以氧化锌为主体，再加入适当的添加物金属氧化物，用陶瓷工艺制备而成，根据添加物的种类，烧结工艺的不同，可制得压敏电压从几伏到几千伏的压敏电阻器，该工艺简单，生产成本低，制做方便...
该专利属于中国科学院新疆物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院新疆物理研究所授权不得商用。

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