【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体陶瓷材料低压压敏电阻材料是七十年代末发展起来的一种很有应用前景的半导体陶瓷材料，在工业电器、高压避雷器、电源设备、汽车通讯电路、仪器仪表、家用电器等方面具有广泛用途，是线路的保护元件。日本公开特许公报昭61-121301低压压敏电阻材料是在经过热处理后，压敏电压最低在10V左右，普通为20-30V。我国压敏电压低于20V左右的元件全部依靠进口，价格十分昂贵，针对这种状况，本专利技术经过多次实践，改进了制做低压压敏电阻材料中的各组份及组份配比并省去了热处理工艺，研制出压敏电压低于10V，非线性条数α大于10的优异性能的低压材料。本专利技术目的在于，研制出的低压压敏电阻材料，其性能电压可从5V-50V，非线性系数α可从10-30，该材料具有工艺、生产成本低、制做方便等特点，从而替代了需要进口产品，其性能参数优于进口产品。本专利技术所述的低压压敏电阻材料及工艺是以氧化锌为主体加入适当的添加物，采用陶瓷工艺制备而成，根据添加物的种类，烧结工艺的不同，可制得压敏电压从几伏到几千伏的压敏电阻器。本专利技术所述的低压压敏电阻材料及工艺，其主要是以氧化锌...
【技术保护点】
一种低压压敏电阻材料，其特征在于，该材料是以氧化锌为主体材料，再加入适当的添加物，用陶瓷工艺制备而成。
【技术特征摘要】
1.一种低压压敏电阻材料，其特征在于，该材料是以氧化锌为主体材料，再加入适当的添加物，用陶瓷工艺制备而成。2.根据权利要求1所述的低压压敏电阻材料，其特征在于添加物是由金属氧化物三氧化二铋、二氧化锰、三氧化二钴、三氧化二锑、二氧化钛、三氧化二铬、三氧化二镍、二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二锗、三氧化二铁组成。3.根据权利要求2所述的低压压敏电阻材料，其特征在于添加物金属氧化物中的各组份配比为(摩尔百分比mol%)三氧化二铋 0.5-1.0二氧化锰 0.4-1.0三氧化二钴 0.4-1.0三氧化二锑 0.01-0.07二氧化钛 0.3-1.0三氧化二铬 0.3-1.0三氧化二镍 0.3-1....
【专利技术属性】
技术研发人员：康雪雅，
申请(专利权)人：中国科学院新疆物理研究所，
类型：发明
国别省市：65[中国|新疆]
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