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公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分，以及选自Ｆｅ和Ａｌ元素的至少一种氧化物和选自Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ和Ｐ元素的至少一种氧化物作为副组分。通过...
该专利属于株式会社村田制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社村田制作所授权不得商用。

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