半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件制造技术

公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分，以及选自Ｆｅ和Ａｌ元素的至少一种氧化物和选自Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ和Ｐ元素的至少一种氧化物作为副组分。通过控制添加剂的用量，可以得到室温时的电阻率约为１０Ω.ｃｍ至１００Ω.ｃｍ的半导体陶瓷组合物。由于在保持常规组合物特性的同时，室温电阻率能够增至常规组合物电阻率的数倍或更高，因此本发明专利技术的组合物可以广泛应用于控制强电流。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体陶瓷组合物，特别是具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物。本专利技术还涉及使用该半导体陶瓷组合物(负温度系数＂NTC＂热敏电阻)的半导体陶瓷元件。该元件用于例如防止电流骤增和实现电动机的软启动。“热敏电阻”一词来源于“热敏感性电阻”，是指电阻随温度变化的元件。负温度系数热敏电阻(NTC热敏电阻)是一种半导体陶瓷元件，其特征是电阻随温度升高而下降。常数B用下式定义，其中ρ(T)是温度为T时的电阻率，ρ(To)是温度为To时的电阻率，ln是自然对数。常数B=[lnp(To)-lnp(T)]/(1/To-1/T)常数B越大，NTC热敏电阻的每单位温度变化的电阻变化也越大。NTC热敏电阻包括例如在用于电子器件的电源整流电路中。该电源的整流电路具有大电容的滤波电容器。NTC热敏电阻抑制电源刚接通时强的骤增电流流入电容器中。此后，热敏电阻通过自加热作用而使电阻值变低，因此电路处在稳定的状态下工作。NTC热敏电阻能用来得到电路的软启动，并且用来保护大电容的整流器和电容器。已经用含过渡金属元素的尖晶石复合氧化物作为NTC热敏电阻的材料。对于用来防止骤增电流的理想NTC热敏电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分，以及选自Ｆｅ和Ａｌ元素的至少一种氧化物和选自Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ和Ｐ元素的至少一种氧化物作为副组分。

【技术特征摘要】
JP 1997-10-8 275809/97;JP 1997-10-8 275810/971．一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分，以及选自Fe和Al元素的至少一种氧化物和选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分。2．如权利要求1所述的半导体陶瓷组合物，其中所述选自Fe和Al元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素，为0.001-30％(摩尔)，所述选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素，为0.001-10％(摩尔)。3．如权利要求1所述的半导体陶瓷组合物，其中所述选自Fe和Al元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素，为0.1-10％(摩尔)，所述选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素，为0.1-5％(摩尔)。4．如权利要求1至3中任一项所述的半导体陶瓷组合物，其中所述氧化钴镧的形式为LaxCoO3(0.60≤x≤0.99)。5．如权利要求4所述的半导体陶瓷组合物，其中所述LaxCoO3中的La被Pr、Nd和Sm中的任一种元素部分取代。6．一种半导体陶瓷元件，它包括具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷和至少一对连接在所述半导体陶瓷上的电极，其中所述陶瓷包括氧化钴镧作为主组分，以及选自Fe和Al元素的至少一种氧化物和选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分。7．如权利要求6所述的半导体陶瓷元件，其中所述选自Fe和Al元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素，为0.001-30％(摩尔)，所述选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素，为0.001-10％(摩尔)。8．如权利要求6所述的半导体陶瓷元件，其中所述选自Fe和Al元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素，为0....

【专利技术属性】
技术研发人员：中山晃庆，石川辉伸，新见秀明，浦原良一，坂部行雄，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]