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本申请提供三维存储器及制备方法。制备方法包括：在衬底上限定的第一区域内形成外围高压电路，采用第一填充层覆盖第一区域；在衬底除第一区域之外的部分上形成叠层结构，叠层结构包括交替叠置的栅极牺牲层和绝缘层；保留叠层结构位于边界区的一部分以形成隔离...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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