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本申请提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，解决半导体器件的电学性能差的技术问题，该半导体器件包括衬底和位于衬底上的介质层；介质层中设有刻蚀停止层和位于刻蚀停止层上的第一金属层，第一金属层至少包裹刻蚀停止层的侧壁；衬底背离介质...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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