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用于对三维FeRAM中的存储单元进行读取和写入的方法技术
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下载用于对三维FeRAM中的存储单元进行读取和写入的方法的技术资料
文档序号:30970298
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公开了一种用于三维铁电存储器件的编程方法。该编程方法包括在目标存储单元的选定的字线上施加第一电压。目标存储单元具有分别对应于第一阈值电压和第二阈值电压的第一逻辑状态和第二逻辑状态。第一和第二阈值电压是由目标存储单元中的铁电膜的两个相反的电极...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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