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半导体存储装置制造方法及图纸
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文档序号:30946233
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半导体存储装置具备:多个第1导电层,排列在第1方向上;多个第2导电层,在第2方向上与多个第1导电层相隔而配置,且排列在第1方向上;半导体层,设置在多个第1导电层与多个第2导电层之间;以及电荷蓄积层,具备设置在多个第1导电层与半导体层之间的第...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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