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本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的ＭｇＢ↓［２］系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Ｍｇ粉和Ｂ粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Ｍｇ∶Ｂ＝０．７∶２．０～１．３∶２．０；再按不超过Ｍｇ和Ｂ粉料总重量的１５％加入掺杂物质，...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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