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非易失性存储器电路及其制造方法与操作非易失性存储器单元虚拟接地阵列的方法技术
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文档序号:3089184
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本发明的多种实施例解决有效读取非易失性存储器的问题。本发明的非易失性存储器电路、方法及制造方法的实施例是关于非易失性存储器单元的虚拟接地阵列。利用预充电多个非易失性存储器单元的漏极及测量产生的电流,可读取该非易失性存储器单元的虚拟接地阵列。...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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