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一种分离闸极快闪记忆晶胞（Ｓｐｌｉｔ　　Ｇａｔｅ　　Ｆｌａｓｈ　　Ｍｅｍｏｒｙ　　Ｃｅｌｌ）的字符线（Ｗｏｒｄ　　Ｌｉｎｅ）结构。在制作上，先提供分离闸极快闪记忆晶胞的闸极结构，其中此闸极结构上形成有字符线的材料层。再于此字符线材料层上形成...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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