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具有交指型位线结构的半导体存储器阵列制造技术
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下载具有交指型位线结构的半导体存储器阵列的技术资料
文档序号:3087832
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公开了用于增加位线间和读出放大器间的间距以便于实现半导体存储器件的制造的一种布局设计方法和能够减少读出放大器数量的半导体存储阵列。该半导体存储器阵列包括多条位线,多个读出放大器,每个读出放大器与每一对位线相连接,其中,按每列设置的读出放大器...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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