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本发明系提供一种半导体记忆装置，系由：记忆单元、文字线、一对位元线、及自由充电手段所构成，其中更包含漏电流补偿电路，用以补偿与记忆单元连接的位元线的漏电流、及防止流入记忆单元的ＣＭＯＳ长周期电流，所用ＣＭＯＳ电晶体交叉结合，所构成的。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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