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一种存储单元具有“与非”逻辑结构的非易失性半导体集成电路。一种非易失性半导体集成电路，其存储单元阵列由多个各个具有第１至第Ｎ个“与非”结构的存储单元晶体管组成，该存储器有多个与第一存储单元晶体管串联连接的第一串选择晶体管的多个与第Ｎ个存储单...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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