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一种用于具有一个存储单元阵列的半导体存储器件的行冗余电路，在所说存储单元阵列两侧形成的第一和第二主行解码器及第一和第二备用行解码器包括：接收地址用的第一、第二熔丝盒，并在接收地址中出现有缺陷地址时熔断有缺陷地址的输入通路上的熔丝，从而向第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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