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非易失半导体存储器制造技术
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下载非易失半导体存储器的技术资料
文档序号:3087512
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半导体存储器,包括:沿行方向排列、通向读出放大器的多条主位线;位于存储体之间并通过第一组选择晶体管与主位线连接的第一组子位线;位于存储体和第一组子位线之间并通过第二组选择晶体管与公共地线连接的第二组子位线。...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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