下载具有位线泄漏控制的双阈值电压SRAM单元的技术资料

文档序号:3086637

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在某些实施例中,本发明包括一个集成电路,该集成电路包括一条位线和一条位线#,多条字线,以及多个存储单元。该存储单元的每一个相应于字线之一条并且每一个包括分别连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二通路晶体管,和位线及位线#,分别地相应的字线...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。

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