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具有屏蔽位线结构的ＮＡＮＤ　ＥＥＰＲＯＭ减小由充电或放电位线产生的电源电压和地噪声。该ＥＥＰＲＯＭ具有连接于虚拟电源节点的ＰＭＯＳ上拉式晶体管和ＮＭＯＳ下拉式晶体管。用于充电和放电位线的控制电路控制该ＰＭＯＳ或ＮＭＯＳ晶体管的栅极电压以当经...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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