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用于快闪电可擦除可编程只读存储器中的字线追踪结构制造技术
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下载用于快闪电可擦除可编程只读存储器中的字线追踪结构的技术资料
文档序号:3086543
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本发明提供一种使用于快闪EEPROM内存存储单元阵列的字线追踪结构。此追踪结构作用为匹配参考和区段核心字线电压,跨越整个芯片而无关于区段位置。此追踪结构包括第二VPXG导体线(422)操作连接于“远”区段的区段字线和参考存储单元极小阵列之间...
该专利属于飞索股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过飞索股份有限公司授权不得商用。
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