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一种非易失性半导体存储装置，具备： 能电改写数据的第一、第二非易失性半导体存储单元； 在所述第一、第二存储单元上同时施加多个写入脉冲来进行写入的写入控制电路， 所述写入控制电路不依存于第一、第二存储单元的写入状态，在所述第...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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