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带有偏置-补偿读出系统的半导体存储器件技术方案
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下载带有偏置-补偿读出系统的半导体存储器件的技术资料
文档序号:3085901
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一种半导体存储器件,包括: 一第一位线和一第二位线,其位于一第一区中并与多个存储单元连接; 一偏置-补偿放大器电路,其被构造为用于探测一基于参考电压的该第一位线的电压变化并按照探测结果来驱动该第二位线; 一读出放大器电路,...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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