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本发明涉及适于在单个存储单元中存储多值的非易失性半导体存储器件。它包括一个非易失性存储单元（Ｍ）和一个写电路（２，３，４，５，６，７，８），该写电路适合通过下述方式向所述存储单元写入数据：向该存储单元提供一个写电压（Ｖｐｇｍ）和一个写控制电...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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