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半导体存储装置制造方法及图纸
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文档序号:3084600
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本发明提供能够防止存储单元的漏电流引起的误动作的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置具有:第1位线及第2位线、有互补的两个存储节点,且各个存储节点通过各选择晶体管连接于所述第1位线与第2位线的存储单元、读出数据时预先将所述第1位线及第2位...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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