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无接触均匀隧道分离P-阱(CUSP)非易失性存储器结构,制造和操作制造技术
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文档序号:3084487
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在非易失性存储器阵列和器件的制造中形成在隔离阱中的浮栅场效应晶体管或存储器元件很有用。这样的浮栅存储器元件列和包含列中的每个存储器元件的源/漏区的阱相关。这些阱和阵列的其他列的源/漏区隔离。Fowler-Nordheim隧道可以用于在个别元...
该专利属于微米技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过微米技术股份有限公司授权不得商用。
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