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提供一种设置有浮栅（４５）的ＤＭＯＳ器件，该浮栅具有紧密接近于其的第一（４９）和第二（５１）电极。通过一薄电介质材料层（５３）将浮栅（４５）与第一（４９）和第二（５１）电极中的一个隔开，该电介质材料层的尺寸和成分允许带电载流子从浮栅（４５）...
该专利属于通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用半导体公司授权不得商用。

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