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提供了一种聚合物存储器及其制造方法。聚合物存储器的一个多层结构具有两组字线和在所述字线之间的一组位线。每一组字线中的字线具有彼此间隔开第一距离的中心线，并且位线具有彼此间隔开第二距离的中心线，所述第二距离小于所述第一距离。制造三层线需要三个...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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