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提供一种使用多进制存储器中的一些存储块作为二进制存储块的非易失性半导体存储器件。非易失性半导体存储器件包括存储单元阵列、接口和写入电路。写入电路可根据输入到接口的数据写入命令通过第一写入次序或第二写入次序选择性地将数据写入存储单元阵列中。当...
该专利属于株式会社东芝;三因迪斯克公司所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;三因迪斯克公司授权不得商用。

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