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内存及其偏压方法技术
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文档序号:3083311
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内存及其偏压方法。内存至少包括多个字符线、多个位线以及多个存储单元。这些字符线系相互平行,而这些位线系垂直于这些字符线。各存储单元系与这些字符线其中之一及这些位线其中之一耦接。内存的偏压方法系包括下列步骤:当对这些存储单元中的第i存储单元进...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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