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非易失性半导体存储器制造技术
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下载非易失性半导体存储器的技术资料
文档序号:3082556
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由同一导电类型的MOS晶体管(N1、N2)构成与各字线分别对应地设置的子译码器元件。将子译码器元件配置成多个列,将形成子译码器元件的有源区(ARR)配置成在Y方向使其布局反转并且在X方向使之错开1个子译码器元件部分。调整子译码器元件的配置,...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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