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非易失性磁性随机存取存储（ＭＲＡＭ）单元及其写入与制造方法。该ＭＲＡＭ单元包括字线，位线，以及磁性薄膜存储元件设置于该字线与位线的交叉处。该磁性薄膜存储元件包括由烯土元素及过渡金属元素构成的合金。被施加加热电流时，该字线可进行加热运作以加热...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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