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非易失性存储器的多电平单元编程方法技术
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文档序号:3082238
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本发明披露了一种改变氮化物存储器单元中多位单元内多电平单元编程顺序的方法,该方法可降低或消除编程步骤之间起始电压移动,且同时避免因互补位扰乱所引起读取窗持续时间的抑制。在第一实施例中,本发明依下列顺序编程具四位的多位单元内的多电平单元:编程...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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