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一种与非门存储元件利用绝缘层上覆硅技术所制造。具体地，可使用薄膜晶体管技术以制造此与非门闪速存储元件。在绝缘层上覆硅以及薄膜晶体管结构中，此存储器的本体（或阱）是被隔离的。此结构可用以允许对个别存储单元进行逐位编程及擦除动作，并可严格控制临...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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