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针对单个存储设备通过以下方式来设置ＮＡＮＤ存储阵列的单元的编程或擦除状态的评估时间（Ｔｅｖａｌ）或读取充电电压（Ｖ１）和读取判定电压（Ｖ２）之差，即在这些设备的大量生产制造过程中至少部分地补偿阵列位线的寄生电容值的大的散布。...
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