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高编程速度的多阶单元存储器制造技术
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文档序号:3081629
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本发明提供了一种用以编程快闪式多阶存储单元存储器的方法与装置。该方法包括载入数据至静态随机存取存储器中。该方法包括从静态随机存取存储器中的数据中读取多个多位字,并且载入该字到电源控制电路的至少一个锁存器缓冲器。该方法还包含将该锁存器缓冲器中...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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