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本发明提供一种改善闪存阵列的读干扰特性的方法。根据该方法，在具有至少一个单元串的闪存阵列中，将第一读电压电平施加到连接至串选择晶体管的栅极的串选择线和连接至接地选择晶体管的栅极的接地选择线，所述单元串中的串选择晶体管、多个存储单元和接地选择...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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