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在第一方面，本发明涉及一种用于形成半导体结构(10)的方法，包括：(a)提供结构，该结构包括(i)衬底(20)、(ii)该衬底(20)上的层堆叠(30)、以及(iii)穿过该层堆叠(30)的沟槽(40)，该层堆叠(30)包括半导体材料的至少...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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