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半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:30711305
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本申请提供了半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括:层叠结构,其包括导电层和绝缘层彼此交替层叠的第一区域以及牺牲层和绝缘层彼此交替层叠的第二区域;第一狭缝结构,其位于第一区域和第二区域之间的边界处并且包括穿过层叠结构的第一贯通...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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