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本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：衬底，第一深阱层设置在所述衬底内部。第二深阱层设置在所述第一深阱层上。过渡区设置在所述第二深阱层上。沟槽隔离区设置在所述衬底顶部。栅极结构，设置在所述衬底的上表面，且所述栅极结构覆盖部分所述过渡区...
该专利属于晶芯成（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成（北京）科技有限公司授权不得商用。

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