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提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上，栅极结构包括交替地堆叠的绝缘层和栅电极；沟道结构，延伸穿过栅极结构；以及源极导电图案，位于基底与栅极结构之间。源极导电图案包括下源极导电图案和位于下源极导电图案上的上源极导电图...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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