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本发明提出一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括基板，具有基部及鳍状物位于基部之上；栅极堆叠，位于鳍状物的顶部之上；第一纳米结构，位于鳍状物之上，且通过栅极堆叠；第二纳米结构，位于第一纳米结构之上，且通过栅极堆叠，栅极堆叠具有第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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