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一种集成电路装置的制造方法，其包括提供两个结构于基板上方以及源极/漏极(source/drain；S/D)接触件于上述两个结构之间。两个结构各自包含栅极、两个栅极间隔物于栅极的两侧侧壁上、以及第一盖层于栅极与栅极间隔物上。此方法还包括凹蚀源...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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