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公开了写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路。非易失性存储器的半导体阱容纳存储器单元。每个存储器单元具有浮置栅极和控制栅极。对存储器单元的擦除包括用第一擦除电压偏置半导体阱，第一擦除电压的绝对值大于存储器的控制栅极开关电路的双极结的击穿电...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

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