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提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件以及绝缘构件。连接构件的至少一部分处于第2半导体构件的第1半导体区域与第3电极之间。绝缘构件...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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